Se ha dado un paso adelante para la fabricación de semiconductores en Francia y, en particular, en Crolles. De hecho, el Ministro de Economía y Finanzas, Bruno Le Maire, anunció el inicio de la producción de la megafábrica apoyada por STMicroelectronics y GlobalFoundries. Así lo anunció el pasado mes de julio. Según explicó el mismo ministro en un tuit, “se trata de la mayor inversión industrial de las últimas décadas fuera de la energía nuclear y un gran paso para nuestra soberanía industrial: 1.000 puestos de trabajo en juego”.

En su momento mencionó una inversión de 5.700 millones de euros para este proyecto. Hoy, la cantidad ha aumentado hasta los 7.500 millones de euros, sin que se conozca el motivo de esta diferencia. Aún así, el apoyo estatal asciende a 2.900 millones de euros en el marco del componente de semiconductores de Francia 2030. Una inversión que hay que poner en perspectiva con la de Intel y sus 33.000 millones de euros en Europa, Irlanda, Alemania, Italia y Francia. Esta estrategia también es parte de La Ley de Chips de la Unión Europea dotación de 43 mil millones de euros. Su objetivo es duplicar la cuota de mercado mundial de la UE en el sector de semiconductores del 10% actual a al menos el 20% en 2030. La Comisión Europea validó la ayuda estatal a la megafábrica el 28 de abril.

La producción de 620.000 obleas se pospone hasta 2028

En un comunicado de prensa, las dos empresas anuncian que la producción ha comenzado sin dar más detalles sobre el tipo de oblea producida, ni sobre la capacidad de fabricación actual. El objetivo del proyecto es alcanzar una capacidad de producción de 620.000 obleas de aquí a 2028. En el comunicado de prensa del verano de 2022, esta ambición estaba prevista para 2026 con un 42% de la producción para STM y un 58% para GF.

Como mencionamos el verano pasado, la megafábrica es una ampliación de las capacidades de producción del sitio histórico de Crolles, cerca de Grenoble, con una instalación capaz de producir obleas de 300 mm para suministrar componentes de 22 nm. (22FDX o FD-SOI) hoy y eventualmente en 18 nm (FD-SOI). Finura de grabado alejada de la de Intel y Samsung (5 y 7 nm). Los componentes producidos por STM y GF no están destinados al mercado de TI (PC, servidores o teléfonos inteligentes), sino al mercado de la automoción (sistemas integrados), IoT y las infraestructuras de comunicación (5G/6G). ). El Ministerio de Economía precisa que el trabajo de ambas partes se utilizará para la investigación y desarrollo de semiconductores FD-SOI con grabado fino (10 nm) con la CEA.