Intel está refinando sus procesos de fabricación para sus futuros chips

La 68.ª edición de la última IEDM (International Electron Devices Meeting) 2022 en San Francisco marcó el 75.º aniversario del transistor. También fue una oportunidad para que Intel levantara el velo sobre sus próximos desarrollos en el diseño de chips. “El grupo de investigación de componentes de Intel ha demostrado su compromiso con la innovación en tres áreas clave para aplicar la ley de Moore: nueva tecnología de empaquetamiento de enlaces híbridos en 3D para permitir la integración perfecta de chips, ultrapropósitos para colocar más transistores en una sola matriz y otras oportunidades de eficiencia energética y de memoria. para una computación de mayor rendimiento”, explicó Intel.

Por lo tanto, el fundador estadounidense muestra grandes ambiciones con una mejora esperada en la densidad multiplicada por 10 hasta el punto de alcanzar la barra de un billón de transistores en un chip para 2030. "Las innovaciones de hardware de Intel también han identificado opciones de diseño prácticas que pueden aumentar la densidad de los transistores. en chips utilizando material de solo 3 micras de espesor, lo que permite a la compañía seguir evolucionando más allá de RibbonFET”, dijo la firma.Una evolución tecnológica en el diseño del procesador que permite al fundador entrar en la era del angstrom, mencionada el año pasado por su CEO Pat Gelsinger.

Se espera que la técnica de enlace híbrido QMC mejore la densidad de interconexión de los futuros chips Intel. (crédito: Intel)

Nitruro de galio para aumentar el rendimiento del chip

Para lograr estos niveles de rendimiento, Intel planea confiar en una técnica de enlace híbrido QMC (chips casi monolíticos) junto con una arquitectura de transistor RibbonFET. Este último marca la transición a los transistores gate-all-around (GAA) con un apilamiento vertical de las capas para mejorar la gestión del flujo y la circulación de la corriente eléctrica. La firma presentó así un primer caso de uso basado en condensadores ferroeléctricos apilados para diseñar chips FeRAM en sustitución de las memorias flash tipo NOR y SRAM.

Los investigadores de Intel también están trabajando en mejores formas de almacenar información cuántica tratando de resolver los problemas de interconexión que pueden interrumpirla. Esto se refiere en particular al desarrollo de dispositivos basados ​​en nitruro de galio (GaN) en el corazón del diseño de la próxima generación de componentes electrónicos. “Intel está construyendo un camino viable hacia las obleas GaN de 300 milímetros. Los avances de Intel en esta área demuestran una ganancia 20 veces mayor que el estándar actual de la industria y presagia un nivel sin precedentes en términos de potencia y alto rendimiento”, dice el fundidor.